#1 |
数量:200 |
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最小起订量:20 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:260 |
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最小起订量:20 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3272 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
IP(D,S)040N03L G |
文档 |
Multiple Devices 19/Mar/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 90A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 38nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3900pF @ 15V |
功率 - 最大 | 79W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
包装材料 | Tube |
P( TOT ) | 79W |
匹配代码 | IPS040N03L G |
安装 | THT |
R( THJC ) | 1.9K/W |
LogicLevel | YES |
包装 | TO251-3 |
单位包 | 1500 |
标准的提前期 | 17 weeks |
最小起订量 | 1500 |
Q(克) | 18.2nC |
LLRDS (上) | 0.0059Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | 90A |
V( DS ) | 30V |
的RDS(on ) at10V | 0.004Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 90A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 79W |
标准包装 | 1,500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3900pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 38nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 90 A |
封装/外壳 | TO-251 |
零件号别名 | IPS040N03LGAKMA1 SP000810846 |
下降时间 | 4.2 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IPS040N03 |
RDS(ON) | 4 mOhms |
功率耗散 | 79 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 6.8 ns |
漏源击穿电压 | 30 V |
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